立方碳化硅及性能介绍

2018-02-04 21:57

β-SiC的硬度介于超硬磨料和普通磨料之间。其晶体的等轴结构特点和独特的合成方法,使其比α-SiCB4CBNAlN、金刚石等材料有更好的自然球度,具有非常好的物理密度、自然堆积密度、优于超硬磨料的高温热稳定性(>1600℃,而金刚石在800℃左右开始氧化,在900℃左右开始燃烧;CBN1370℃时开始软化)、化学稳定性以及远优于普通磨料的硬度、强度和韧性,在精密磨抛方面有更好的磨削和抛光效果,是制造精细固结磨具和精细涂附磨具的上乘材料。尤其适合于干磨干抛。

β-SiC微纳米级超细粒子,其烧结活性优于α-SiCB4CBNAlN等粉体,是制造各种优异力学性能结构材料的理想原料。

β-SiC的宽禁带和高电子漂移速度特性以及易于高纯化和超细化特点,在半导体材料、吸波材料等领域有更多独特的应用前景。

β-SiC微粉和晶须优异的耐高温、耐腐蚀、高硬度、高强度、高热导率、化学稳定性和热稳定性、低膨胀性以及比重比大多数金属合金小一半等特性,作为增强材料可以大幅度提高聚合物材料、各种涂层材料、军工材料、航空航天材料等的力学性能、热学性能和耐磨蚀、耐腐蚀等性能,因而在这些领域获得了越来越广泛的应用。

公司生产的β-SiC微粉纯度高(最高可达99.99%)、晶体结构规整、堆积密度大、粒度分布窄、烧结活性高;β-SiC晶须长径比大、表面光洁度高、直晶率高、晶须中颗粒含量少,使其在以上应用领域备受青睐。

公司在国内开创了大批量制造纳米碳化硅的先河。纳米碳化硅纯度可达98%以上,细度为20nm100nm。公司的产品正在开创传统金属和陶瓷材料所无法实现的新应用领域和新设计的可能性。

立方碳化硅(β-SiC)的物理性质

性质

物理常数

性质

物理常数

熔点,K

2973℃(分解)

蒸发活化能,KJ/mol

244.5

摩尔热,J/mol·K)

24.7(276K)

生成热,KJ/mol

111.8

线膨胀系数(373K

6.58×10-6

线膨胀系数(1173K

2.98×10-6

热导率, w·m-1·k-1

28.03±2.00

燃烧热,KJ/mol

30.343

分解温度()

2830±40

超导转变温度,K

5

介电常数(<300K

9.72

电阻率,Ω·m

10-2~106

德拜温度

1430K

能隙,ev

2.60

受激能隙(4.2K/ev

2.39

磁化率(H)

-12.8×10-6

密度g/cm3

3.216

硬度

(Mohs)

9.5~9.75

晶体结构

立方体 (3 C)

(Vickers)

3450

压缩系数

0.21×10-6



射线图.png

β-SiC X射线衍射图谱